特許
J-GLOBAL ID：200903099897587205
X線マスク構造体、X線露光装置、該X線露光装置を用いたX線露光方法、X線マスク構造体または該X線露光装置を用いて作製された半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186518
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082666
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 X線マスク構造体及びそれを組み込んだX線露光装置、該X線露光装置を用いたX線露光方法、半導体デバイス及びその製造方法において、マスクや露光装置内へのゴミ付着防止に対応できマスク表面の汚染を防止し、マスクの長寿命化を図り、メンテナンスを容易にする方法を提供する。【解決手段】 X線吸収体3と該吸収体を支持する支持膜2、該支持膜を保持する保持枠1からなるX線マスク構造体において、露光に用いる部分以外のX線マスク構造体に吸気口6を設け、被転写体側であるX線表面側から反対側に向かって吸気することを特徴とするX線マスク構造体。
請求項（抜粋）：
X線吸収体と該吸収体を支持する支持膜、該支持膜を保持する保持枠からなるX線マスク構造体において、該X線マスク構造体に吸気口を設け、被転写体側であるX線マスク表面側から反対側に向かって吸気することを特徴とするX線マスク構造体。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, G03F 7/20 503
, G21K 5/02
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, G03F 7/20 503
, G21K 5/02 X
, H01L 21/30 531 A
, H01L 21/30 531 E
