膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物およびシリカ系膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大渕美千栄 , 布施行夫 , 井上一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-364487
公開番号（公開出願番号）：特開2005-126589
出願日： 2003年10月24日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】半導体装置などにおける層間絶縁層として使用でき、低比誘電率であり、比誘電率の温度依存性が小さく、かつ上層膜あるいは下層膜として使用されるSiCNとの密着性に優れたシリカ系膜を形成することができる膜形成用組成物の製造方法、前記製造方法により得られた膜形成用組成物、ならびに前記膜形成用組成物により得られたシリカ系膜を提供する。【解決手段】本発明の膜形成用組成物の製造方法は、(A)有機溶剤、(B)塩基性化合物および(C)水を含む反応系内で(D)シラン化合物を加水分解縮合した後、(E)ポリシロキサンを一括または連続的または断続的に前記反応系内に添加してさらに加水分解縮合を行なうことを含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)有機溶剤、(B)塩基性化合物および(C)水を含む反応系内で、 (D)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物 RaSi(OR1)4-a ・・・・・(1) 〔式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R1は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。〕 Si(OR2)4 ・・・・・(2) 〔式中、R2は1価の炭化水素基を示す。〕 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(3) 〔式中、R3〜R6は同一または異なり、それぞれ1価の炭化水素基を示し、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を表す。〕を加水分解縮合した後、 (E)下記一般式(4)で表される繰り返し単位および下記一般式(5)で表される繰り返し単位の群から選ばれた少なくとも1種の繰り返し単位を有するポリシロキサン

IPC (4件)：

C09D183/04 , C01B33/12 , C09D183/14 , H01L21/312

FI (4件)：

C09D183/04 , C01B33/12 C , C09D183/14 , H01L21/312 C

Fターム (103件)：

4G072AA28 , 4G072BB09 , 4G072EE05 , 4G072EE06 , 4G072EE07 , 4G072GG02 , 4G072HH30 , 4G072JJ11 , 4G072MM36 , 4G072NN21 , 4G072RR05 , 4G072UU30 , 4J038DL031 , 4J038DL061 , 4J038KA06 , 4J038KA09 , 4J038LA02 , 4J246AA03 , 4J246AA11 , 4J246AA19 , 4J246AB02 , 4J246AB06 , 4J246AB12 , 4J246BA020 , 4J246BA16X , 4J246BA340 , 4J246BA350 , 4J246BA360 , 4J246BA370 , 4J246BB02X , 4J246BB021 , 4J246BB13X , 4J246BB131 , 4J246BB140 , 4J246BB141 , 4J246BB200 , 4J246BB201 , 4J246CA01U , 4J246CA019 , 4J246CA04U , 4J246CA049 , 4J246CA12U , 4J246CA12X , 4J246CA13U , 4J246CA13X , 4J246CA139 , 4J246CA14U , 4J246CA14X , 4J246CA149 , 4J246CA23U , 4J246CA239 , 4J246CA24U , 4J246CA24X , 4J246CA249 , 4J246CA25U , 4J246CA259 , 4J246CA27U , 4J246CA279 , 4J246CA34U , 4J246CA349 , 4J246CA46U , 4J246CA469 , 4J246CA68U , 4J246CA689 , 4J246CA76U , 4J246CA769 , 4J246FA081 , 4J246FA101 , 4J246FA121 , 4J246FA131 , 4J246FA151 , 4J246FA371 , 4J246FA421 , 4J246FA431 , 4J246FA441 , 4J246FA461 , 4J246FA631 , 4J246FB211 , 4J246FB221 , 4J246FB231 , 4J246FC061 , 4J246FD06 , 4J246FD07 , 4J246FD09 , 4J246GC37 , 4J246GC53 , 4J246GD08 , 4J246HA26 , 4J246HA29 , 4J246HA63 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH00 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (4件)

被膜形成用塗布液およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-060057 出願人：触媒化成工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-118584 出願人：触媒化成工業株式会社
シリカ系被膜及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-144807 出願人：東京応化工業株式会社

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審査官引用 (9件)

アルコキシ基含有シリコーンレジンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-073537 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
被膜形成用塗布液およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-060057 出願人：触媒化成工業株式会社
特開平3-183675

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