シリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、コーテイング剤および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：久保田芳譽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-306720
公開番号（公開出願番号）：特開2007-111645
出願日： 2005年10月21日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】電気絶縁性と可撓性と優れた耐熱性を有し平坦化され高温に曝されても変質、劣化、変形することのないシリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、そのためのコーテイング剤および半導体装置を提供する。【解決手段】無機質基板に環状ジハイドロジェンポリシロキサン(A)または特定の単位式を有するハイドロジェンポリシロキサン(B)を被覆し硬化させる、鉛筆硬度が2H〜9Hであるシリカ系ガラス薄層を有する無機質基板の製造方法。前記シリカ系ガラス薄層付き無機質基板。前記 (A)または(B)からなる無機質基板のコーテイング剤。前記シリカ系ガラス薄層付き無機質基板を有する半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(A)重量平均分子量が1500〜1,000,000の範囲内であり、常温で液状であり、H2SiO2/2単位からなる環状ジハイドロジェンポリシロキサン、 (B)シロキサン単位式[H2SiO2/2]x[HSiO3/2 ]y[SiO4/2]z(式中、x,y,zはモル分率を表わし、0.12≦x<1.0,0≦y≦0.88,0≦z≦0.30,yとzが同時に0であることがなく、x+y+z=1である)を有し、重量平均分子量が500〜1,000,000の範囲内であり、120°C未満で液状であるハイドロジェンポリシロキサン、または環状ジハイドロジェンポリシロキサン(A)とハイドロジェンポリシロキサン(B)の混合物を、必要に応じて120°C未満の硬化しない温度に保持して流動性を高めるか有機溶剤で希釈して、無機質基板上に被覆し、必要に応じて120°C未満の硬化しない温度に保持して該有機溶剤を揮発させ、ついで、環状ジハイドロジェンポリシロキサン(A)、ハイドロジェンポリシロキサン(B)、または環状ジハイドロジェンポリシロキサン(A)とハイドロジェンポリシロキサン(B)の混合物を硬化させることを特徴とする、鉛筆硬度が2H〜9Hであるシリカ系ガラス薄層を有する無機質基板の製造方法。

IPC (6件)：

B05D 7/00 , H01L 21/316 , H01L 21/312 , C09D 183/05 , B32B 9/04 , B05D 7/24

FI (6件)：

B05D7/00 C , H01L21/316 G , H01L21/312 C , C09D183/05 , B32B9/04 , B05D7/24 302Y

Fターム (44件)：

4D075BB24Z , 4D075BB41Z , 4D075BB56Z , 4D075DB04 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DC22 , 4D075EB43 , 4D075EB52 , 4F100AA01B , 4F100AA20A , 4F100AB01B , 4F100AB04B , 4F100AD00B , 4F100AG00A , 4F100AG00B , 4F100AK52A , 4F100BA02 , 4F100BA07 , 4F100GB48 , 4F100GB51 , 4F100JA07A , 4F100JG04 , 4F100JJ03 , 4F100JK12A , 4F100JK14 , 4F100JK15 , 4F100JK17B , 4F100YY00A , 4J038DL041 , 4J038KA06 , 4J038NA11 , 4J038PC01 , 4J038PC02 , 5F058BA04 , 5F058BA07 , 5F058BB05 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BJ10

引用特許：

出願人引用 (9件)

特公平4-63551
特開昭54-149489
耐熱性可撓性基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-097064 出願人：鐘淵化学工業株式会社

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