高精度シェイブオフ深さプロフィルのための再構築法の開発

FUJII Makiko; NOJIMA Masashi; NOJIMA Masashi; OWARI Masanori; OWARI Masanori; NIHEI Yoshimasa

文献

J-GLOBAL ID：201002209039075023 整理番号：10A0533200

高精度シェイブオフ深さプロフィルのための再構築法の開発

Development of Reconstruction Method for Highly Precise Shave-Off Depth Profiling

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 8 ページ： 237-240 (J-STAGE) 発行年： 2010年
JST資料番号： U0016A ISSN： 1348-0391 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

シェイブオフ深さプロファイリングは深さプロフィルを提供する集束イオンビーム(FIB)ミクロ加工過程を使用する。その方法はシェイブオフ掃引モードによる深さプロファイリングを要請する非常にユニークな(FIBの迅速水平掃引を非常に遅い垂直掃引と組合せる)方法である。シェイブオフ深さプロファイリングはそれ自身の特徴,絶対深さプロフィル,ピンポイント深さプロフィル及び粗雑表面及びヘテロ界面への応用性をもつ。しかし,シェイブオフ深さプロフィルはシェイブオフ掃引モードが試料に対する一次イオンビームの限定された位置が要請されFIBの長いテイルにより影響される。本研究では,シェイブオフ掃引の速度の変化により種々のシェイブオフの深さプロフィルを要請する。次いで,実験深さプロファイルの深さ分解能の変化によりFIBの近似的強度プロフィルを見積った。そのFIBの見積り強度プロフィルを用いてデコンボリューションを行い,FIBの長いテイルの影響を除去した。その結果,その新しいデータ解析法はFIBの強度プロフィルは反映せず真の元素分布を反映する高精度の計算深さプロフィルを再構成することが可能となる。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般 , 電子ビーム・イオンビームの応用 , 固-気界面一般

引用文献 (4件)：

[1] M. Toi, A. Maekawa, T. Yamamoto, B. Tomiyasu, T. Sakamoto, M. Owari, M. Nojima, and Y. Nihei, J. Surf. Anal. 12, 170 (2005).
[2] M. Fujii, K. Nakamura, Y. Ishizaki, M. Nojima, M. Owari, and Y. Nihei, Appl. Surf. Sci. 255, 1354 (2008).
[3] F. A. Stevie, C. B. Vartuli, L. A. Giannuzzi, T. L. Shofner, S. R. Brown, B. Rossie, F. Hillion, R. H. Mills, M. Antonell, R. B. Irwin, and B. M. Purcell, Surf. Interface Anal. 31, 345 (2001).
[4] K. Nakamura, Y. Ishikawa, K. Utsumi, H. Igusa, R. Tanaka, Y. Ishizaki, T. Yamamoto, A. Maekawa, M. Owari, M. Nojima, and Y. Nihei, Surf. Interface Anal. 38, 1734 (2006).

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