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J-GLOBAL ID：201002216657502621   整理番号：10A0723073

表面差分反射分光と反射率差分光を用いたSi(001)表面初期酸化過程のリアルタイム解析

Real-time Analysis of Initial Oxidation Process on Si(001) by Means of Surface Differential Reflectance Spectroscopy and Reflectance Difference Spectroscopy

著者 (3件)： 大野真也 (横浜国立大学工学部知能物理工学科) ,  首藤健一 (横浜国立大学工学部知能物理工学科) ,  田中正俊 (横浜国立大学工学部知能物理工学科)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 53  号： 6  ページ： 413-420 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らは,Si(001)-(2×1)上での初期酸化過程について,線形分光法,つまり表面差分反射分光法と反射率差分光法とを用いた定量的研究を紹介した。この実時間測定法で著者らが最近得た結果は,2種類の酸化物成長モード,つまりLangmuir型吸着と二次元島状成長との間の遷移を同定できることを明らかにした。酸化物単分子層の成長に対して,酸化周期に関するArrheniusプロットから,活性化エネルギーを推定した。著者らの結果は,高温でのSi(001)-(2×1)上での単分子層酸化物形成に対して,有限の活性化エネルギーが存在することを示唆した。

シソーラス用語： 半導体 ,  *ケイ素 ,  酸化 ,  *吸着 ,  *酸素 ,  モデル ,  吸着平衡 ,  分光分析 ,  反射スペクトル ,  時間 ,  反射率 ,  二次元 ,  島状構造 ,  単分子層 ,  酸化物 ,  Arrheniusの式 ,  活性化エネルギー ,  *表面構造 ,  実時間処理 ,  Langmuirモデル ,  *構造
準シソーラス用語： 示差反射分光分析 ,  実時間

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

引用文献 (47件)：

• 1) D. E. Aspnes, J. P. Harbison, A. A. Studna and L. T. Florez: J. Vac. Sci. Technol. A, 6 (1988) 1327.
• 2) N. Kobayashi and Y. Horikoshi: Jpn. J. Appl. Phys., 28 (1989) L1880.
• 3) J. F. McGilp: Prog. Surf. Sci., 49 (1995) 1.
• 4) P. Weightman, D. S. Marin, R. J. Cole and T. Farrell: Rep. Prog. Phys., 68 (2005) 1251.
• 5) C. Beitia, W. Preyss R. Del Sole and Y. Borensztein: Phys. Rev. B, 56 (1997) R4371.

タイトルに関連する用語 (9件)： 差分 ,  分光 ,  反射率 ,  Si ,  初期 ,  酸化 ,  過程 ,  リアルタイム ,  解析