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J-GLOBAL ID：201002217242327472   整理番号：10A0229914

ウエハ上モニタリング手法を用いる実際のプラズマエッチングプロセスにおけるUVスペクトルとUV照射損傷の予測

Prediction of UV spectra and UV-radiation damage in actual plasma etching processes using on-wafer monitoring technique

著者 (4件)： JINNAI Butsurin (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  FUKUDA Seiichi (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  OHTAKE Hiroto (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 4  ページ： 043302  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマプロセス中のUV照射は物質表面に影響する。にも拘わらず,表面とUVフォトンとの相互作用は,プロズマプロセス中のフォトンをモニタリングの困難さのため明瞭に理解されていない。このため,以前UVフォトンについてウエハ上のモニタリング手法を提案した。この研究のためウエハ上モニタリング手法とニューラルネットワークの組み合わせを用いて,ウエハ上モニタリング手法から得られたデータとUVスペクトルとの関係を確立した。また126nmのエキシマランプを用いてUV強度の任意単位を補正することにより,UV照射の絶対強度を得た。結果として,UVスペクトルとそれらの絶対強度をウエハ上モニタリングを用いて予測できた。さらに,プラズマエチング中の誘電体薄膜のUV照射損傷をシミュレーションするために,ウエハ上モニタリング手法を用いる予測システムを開発した。この研究においてSiOC膜中のUV誘起損傷を予測した。SiOC膜の損傷についてのこの予測結果から,UVスペクトルと絶対強度は,SiOC膜の損傷のため鍵となるパラメータである。さらにSiOC膜のUV照射損傷は,エッチング構造の幾何学に大きく依存した,ウエハ上のモニタリング手法は,表面とUV照射との相互作用の理解およびUV照射制御によるプラズマ処理の最適化に役に立つ筈である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *監視 ,  *プラズマエッチング ,  紫外線照射 ,  *照射損傷 ,  紫外スペクトル
準シソーラス用語： モニタリング

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： ウエハ ,  モニタリング ,  手法 ,  プラズマエッチング ,  プロセス ,  UVスペクトル ,  UV照射 ,  損傷 ,  予測