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J-GLOBAL ID：201002218825420175   整理番号：10A0133844

ホットワイヤタングステン触媒により生成された原子水素を用いたフォトレジスト除去速度の基板温度依存性

Substrate Temperature Dependence of the Photoresist Removal Rate Using Atomic Hydrogen Generated by a Hot-Wire Tungsten Catalyst

著者 (5件)： YAMAMOTO Masashi (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  MARUOKA Takeshi (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  KONO Akihiko (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  HORIBE Hideo (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  UMEMOTO Hironobu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 1,Issue 1  ページ： 016701.1-016701.6  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学物質を用いたフォトレジスト除去法の代わりに,ホットワイヤタングステン触媒との接触により,水素分子を分解することにより生成した原子水素を用いる環境にやさしい除去法を研究した。触媒とフォトレジスト基板との間の距離(D_DS)を20,60,100,及び120mmに設定し,各距離D_DSにおけるフォトレジストと原子水素との間の反応に関する見かけの活性化エネルギー(E_AP)を評価した。E_APを,平均基板温度に対するフォトレジスト除去速度のArrheniusプロットから決定した。D_DSが20と60nmのとき,E_APは,触媒温度(WT=2040~2420°C)の上昇とともに減少し,一定ではなかった。しかしながら,D_DSが100及び120mmのとき,E_APは,WTに依存することなく,19±1kJ/molでほとんど一定であった。原子水素とのフォトレジストの反応において,約19kJ/molの活性化エネルギーを得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *タングステン ,  触媒 ,  線 ,  水素 ,  基板温度 ,  *活性化エネルギー ,  Arrheniusの式 ,  *ホットワイヤ ,  距離依存性 ,  *原子状水素
準シソーラス用語： *除去速度 ,  *原子水素

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

引用文献 (27件)：

• A. Izumi and H. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002)4639.
• J. N. Smith, Jr. and W. L. Fite: J. Chem. Phys.37(1962)898.
• T. W. Hickmott: J. Chem. Phys.32(1960)810.
• J. I. Pankove and N. M. Johnson: Hydrogen in Semiconductors (Academic Press, San Diego, CA, 1991) Semiconductors and Semimetals, Vol.34.
• R. Z. Bachrach and R. D. Bringans: J. Vac. Sci. Technol. B 1(1983)142.

タイトルに関連する用語 (6件)： ホットワイヤ ,  タングステン触媒 ,  原子水素 ,  フォトレジスト ,  除去速度 ,  温度依存性