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J-GLOBAL ID：201002219276524709   整理番号：10A0374028

120°CにおけるSiの硝酸酸化法:HNO₃濃度依存性

Nitric acid oxidation of Si method at 120 °C: HNO₃ concentration dependence

著者 (6件)： IMAMURA Kentaro (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki 567-0047, JPN) ,  TAKAHASHI Masao (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki 567-0047, JPN) ,  ASUHA (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki 567-0047, JPN) ,  HIRAYAMA Yasuhiro (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, JPN) ,  IMAI Shigeki (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, JPN) ,  KOBAYASHI Hikaru (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki 567-0047, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 5  ページ： 054503  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約120°CにおいてSiの硝酸酸化法の利用によりSi(100)基板上に形成された8-10nmの二酸化ケイ素(SiO₂)膜の電気的性質と物理的性質を調べた。SiO₂層の原子密度はHNO₃濃度と共に高くなる。Fourier変換赤外吸収測定から,HNO₃濃度が高くなると,SiO₂層の原子密度は高くなつた。Fowler-Nordheimプロットから,SiO₂/Si界面の障壁高さが,HNO₃濃度と共に高くなることが示される。SiO₂層を流れる漏れ電流密度は,SiO₂形成に用いたHNO₃濃度と共に減少する。原子密度を高くするとSiO₂バンドギャップが広がり,従ってSiO₂/Si界面におけるバンド不連続性エネルギーが高くなり,従って代わりにSiO₂を通る電荷キャリアのトンネル確率が減少する結果となる。酸化物の固定電荷密度はHNO₃濃度の増加と共に減少する。68wt%HNO₃を用いて形成したSiO₂層上で水素雰囲気中250°Cでメタライゼーション後のアニーリングを行うと,電気特性は900°Cで形成された熱成長SiO₂層と同様に良好となる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  半導体 ,  *酸化 ,  基板 ,  *二酸化ケイ素 ,  *誘電体薄膜 ,  硝酸 ,  赤外吸収スペクトル ,  *漏れ電流 ,  濃度依存性 ,  *硝酸酸化 ,  FTIRスペクトル ,  障壁高さ

分類 (1件)： その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  硝酸酸化法 ,  HNO3 ,  濃度依存性