化学増幅レジスト中の酸濃度の変動とラインエッジ粗さの間の関係

KOZAWA Takahiro; KOZAWA Takahiro; YAMAMOTO Hiroki; YAMAMOTO Hiroki; TAGAWA Seiichi; TAGAWA Seiichi

文献

J-GLOBAL ID：201002224969576900 整理番号：10A1021756

化学増幅レジスト中の酸濃度の変動とラインエッジ粗さの間の関係

Relationship between Line Edge Roughness and Fluctuation of Acid Concentration in Chemically Amplified Resist

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 9,Issue 1 ページ： 096506.1-096506.5 発行年： 2010年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ラインエッジ粗さ(LER)は極端紫外線(EUV)リソグラフィーに用いられる化学増幅レジストの開発における重要な問題である。最先端のレジストにおけるLERの主原因は化学反応に固有の化学的不均一性である。しかしパターン縮小に伴い,酸発生剤などのレジスト成分の不均一性で恐らく生じる初期の酸濃度の変動が関係してくる。本研究では,初期の酸濃度の変動がLERに及ぼす影響を,化学増幅EUVレジストの反応機構に基づいて理論的に調べた。初期の酸濃度の変動に由来するラインエッジの変動を化学反応の変動に由来するLERと比較した。ハーフピッチ16nmでも,初期分布の変動は触媒鎖反応を通して有意に低下した。高感度でのパターン形成の要件を満たすには,酸拡散の平坦化効果が不可欠である。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (49件)：

S. Wurm: J. Photopolym. Sci. Technol.22(2009)31.
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