文献

J-GLOBAL ID：201002225720053165   整理番号：10A0710881

22nm以下の分解能に向けた化学増幅分子レジストの基本的分解分析法

Fundamental Decomposition Analysis of Chemically Amplified Molecular Resist for below 22nm Resolution

著者 (6件)： SHIONO Daiju (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  HADA Hideo (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SATO Kazufumi (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  FUKUSHIMA Yasuyuki (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  WATANABE Takeo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KINOSHITA Hiroo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 23  号： 5  ページ： 649-655  発行年： 2010年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分解分析法およびリソグラフィー評価のため,分子レジストProt-1およびProt-2を合成した。これらの構造,純度および熱特性を確認した後,分解挙動を高性能液体クロマトグラフィー(HPLC)により分析した。分析結果から,露光領域における主反応は,電子ビーム(EB)および極端紫外線(EUV)リソグラフィーにおける保護基の脱保護基反応であることが分った。明確な脱保護基反応が起る露光線量は,レジスト膜の厚さが減じる照射線量と一致する。さらに,完全に脱保護された基,部分的に脱保護された基および完全に保護された基を含み,溶解速度が異なるレジスト材料は,露光および非露光領域間の境界領域で共存する。基本的分解分析法の結果は,線幅粗さ(LER)は,露光および非露光領域間の境界領域レジスト成分材料の異なる溶解速度の存在により生じる。ファンダメンタル分析の確認後,これらの分子レジストに関して,EBリソグラフィーによるリソグラフィー性能を評価した。Prot-1からなるレジスト-Aは,36μC/cm²の露光線量で20nmhp(ハーフピッチ)解像度を示した。この論文で,これらレジストの分解挙動の点において,分子レジストの解像度およびLER特性を論じる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *極端紫外線 ,  *フォトリソグラフィー ,  *回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  フォトレジスト ,  露光 ,  *化学増幅レジスト ,  脱保護基 ,  高速液体クロマトグラフィー ,  電子ビームリソグラフィー ,  表面粗さ ,  線 ,  幅 ,  溶解速度 ,  ポリビニルフェノール ,  共重合体 ,  照射線量 ,  分解反応 ,  脂環式化合物 ,  架橋化合物 ,  フェノール類 ,  高分子薄膜 ,  *分解能 ,  脂肪族アミン ,  イミン ,  第三アミン
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  ポジ型フォトレジスト

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子担体・触媒反応  (CG03030W)

物質索引 (7件)： 1-アダマンタンメタノール ,  1-エチル-3-[3-(ジメチルアミノ)プロピル]カルボジイミド ,  2,2′-[メチレンビス[2-(4,4′-ジヒドロキシ-2,2′,5,5′-テトラメチルベンズヒドリル)-4,1-フェニレンオキシ]]ビス酢酸 ,  2-[2-(4,4′-ジヒドロキシ-2,2′,5,5′-テトラメチルベンズヒドリル)-4-[3-(4,4′-ジヒドロキシ-2,2′,5,5′-テトラメチルベンズヒドリル)-4-[2-(1-アダマンチルメトキシ)-2-オキソエトキシ]ベンジル]フェノキシ]酢酸 ,  ブロモ酢酸2-メチル-2-アダマンチル ,  2,2′-[メチレンビス[2-(4,4′-ジヒドロキシ-2,2′,5,5′-テトラメチルベンズヒドリル)-4,1-フェニレンオキシ]]ビス酢酸ビス[2-(2-メチル-2-アダマンチルメトキシ)-2-オキソエチル] ,  2-[2-(4,4′-ジヒドロキシ-2,2′,5,5′-テトラメチルベンズヒドリル)-4-[3-(4,4′-ジヒドロキシ-2,2′,5,5′-テトラメチルベンズヒドリル)-4-[2-(1-アダマンチルメトキシ)-2-オキソエトキシ]ベンジル]フェノキシ]酢酸2-(2-メチル-2-アダマンチルオキシ)-2-オキソエチル

引用文献 (20件)：

• ITRS Roadmap [http://www.itrs.net].
• M. Yoshiiwa, H. Kageyama, Y. Shirota, F. Wakaya, K. Gamo., Appl. Phys. Lett.69(1996)2605.
• S. Hattori, S. Saito, K. Asakawa, T. Koshiba, T. Nakasugi., Proc, SPIE 6923(2008)69230J.
• S. Tanaka, M. Murakami, K. Fukushima, N. Kawano, Y. Uenoyama, K. Ito, H. Ohno, N. Matsumoto., Proc, SPIE 7273(2009)72732M.
• K. Okuyama., Proc, SPIE 7273(2009)72732U.

タイトルに関連する用語 (5件)： 分解能 ,  化学 ,  増幅 ,  分子レジスト ,  分解分析