文献

J-GLOBAL ID：201002226845799106   整理番号：10A0464886

極薄EOT実現に向けたプラズマ窒化応用high-k/Geゲートスタックの提案

著者 (11件)： 朽木克博 (大阪大 大学院) ,  岡本学 (大阪大 大学院) ,  秀島伊織 (大阪大 大学院) ,  上西悠介 (大阪大 大学院) ,  桐野嵩史 (大阪大 大学院) ,  HARRIES James (原子力機構) ,  吉越章隆 (原子力機構) ,  寺岡有殿 (原子力機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18P-P9-5  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *超薄膜 ,  イオン窒化 ,  *ゲルマニウム ,  ウエハ【IC】 ,  酸化ジルコニウム ,  電子ビーム蒸着 ,  X線光電子スペクトル ,  容量電圧特性 ,  漏れ電流 ,  誘電材料 ,  *MOS構造 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： *EOT ,  *プラズマ窒化 ,  高k材料 ,  高誘電率膜 ,  *窒化ゲルマニウム

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： EOT ,  プラズマ窒化 ,  応用 ,  Ge ,  ゲートスタック ,  提案