Cu(Ti)/多孔質低k試料におけるチタンリッチバリア層の自己形成に対するポアシーリングの影響

KOHAMA Kazuyuki; ITO Kazuhiro; SONOBAYASHI Yutaka; TANAKA Tomohisa; MORI Kenichi; MAEKAWA Kazuyoshi; SHIRAI Yasuharu; MURAKAMI Masanori

文献

J-GLOBAL ID：201002231317623091 整理番号：10A0490978

Cu(Ti)/多孔質低k試料におけるチタンリッチバリア層の自己形成に対するポアシーリングの影響

Effects of Pore Sealing on Self-Formation of Ti-Rich Barrier Layers in Cu(Ti)/Porous-Low-k Samples

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DB09.1-04DB09.6 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

多孔質SiO_xC_yH(低k)誘電層上にCu(1at.% Ti)合金膜を蒸着成長させ,チタンリッチバリア層の自己形成に対するポアシーリングの影響を調べた。試料には,6.5nm厚のSiCNのポアシーリングを持つものと持たないものを使った。アルゴン中で400~600°Cで2時間アニール処理をした後に,多孔質低k層上にチタンリッチバリア層が自己形成された。ポアシーリングの無い試料では界面が粗くなり,チタン原子がポア表面で多孔質低k層と反応していることが分かった。対照的に,ポアシーリングのある試料では,界面が滑らかであった。この場合のチタンリッチバリア層は,アモルファス酸化チタンから構成されている。また,ポアシーリングの無い試料では,Cu(Ti)合金膜の直下に多結晶TiCが観測され,また,シーリングを持つ試料においては,アモルファスTiNとTiCが見られた。界面でのチタン析出は2つの層に分割されることから,チタン原子とポアシーリングとの反応から形成されるチタンリッチバリア層と多孔質低k層とは分離していることが分かった。ポアシーリングの無いものに比べて,ポアシーリングを持つ試料の抵抗は小さくなった。このことは,合金膜中の残留チタン原子濃度の低いことと,ポアシーリングを持つ試料の粒径がより粗く細長いことに起因する。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (11件)：

S. Tsukimoto, M. Moriyama, K. Ito, and M. Murakami: J. Electron. Mater.34(2005)592.
K. Kohama, K. Ito, S. Tsukimoto, K. Mori, K. Maekawa, and M. Murakami: J. Electron. Mater.37(2008)1148.
K. Kohama, K. Ito, S. Tsukimoto, K. Mori, K. Maekawa, and M. Murakami: Mater. Trans.49(2008)1987.
K. Kohama, K. Ito, K. Mori, K. Maekawa, Y. Shirai, and M. Murakami: J. Electron. Mater.38(2009)1913.
W. K. Chu, J. W. Mayer, and M.-A, Nicolet: Backscattering Spectrometry (Academic Press, San Diego, CA, 1978) P. 91.

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