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J-GLOBAL ID：201002231478006955   整理番号：10A0134528

電子サイクロトロン共鳴プラズマ技法による高kゲート誘電体/Geのための高品質GeO₂中間層の低温生成

Low-Temperature Formation of High-Quality GeO₂ Interlayer for High-κ Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques

著者 (6件)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  YAZAKI Yuya (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  OTANI Yohei (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  SATO Tetsuya (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  TOYOTA Hiroshi (Hirosaki Univ., Hirosaki, JPN) ,  ONO Toshiro (Hirosaki Univ., Hirosaki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 1  ページ： 282-287  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム(Ge)は,高性能CMOSデバイス用として,シリコンより優れたチャネル材料である。最近Geにおける高誘電率(高k)ゲート誘電体が研究されている。本稿では,低温にて,ECRプラズマ酸化およびスパッタリングにより,作成したAu/Al₂O₃/GeO₂/GeMOS構造の物理的電気的性質についての詳細な研究を報告した。GeO₂/Geインタフェイスのインタフェイス状態密度は,3.5~4.5×10¹⁰cm^-2・eV^-1であった。これは標準熱成長SiO₂/Siシステムのそれに近いものであった。キャパシタンス対電圧特性は50mVであった。GeO₂のバンドギャップは,内部光電子放出(IPE)計測により4.7eVであった。

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  *誘電体 ,  酸化膜 ,  *ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  CMOS構造 ,  誘電材料 ,  *ECRプラズマ ,  スパッタリング ,  MOS構造 ,  インタフェイス ,  光電子放出 ,  低温生成 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  高k誘電体 ,  高誘電率材料 ,  中間層 ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  技法 ,  ゲート誘電体 ,  Ge ,  高品質 ,  中間層 ,  低温生成