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J-GLOBAL ID：201002237402174431   整理番号：10A1021679

選択的再成長n⁺ソースをもつサブミクロンInP/InGaAs複合材料-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスター

Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n⁺-Source

著者 (7件)： KANAZAWA Toru (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  WAKABAYASHI Kazuya (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SAITO Hisashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TERAO Ryousuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  IKEDA Shunsuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 9  ページ： 094201.1-094201.3  発行年： 2010年09月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は,有機金属気相エピタキシーにより形成した選択的再成長n⁺-InGaAsソース/ドレインをもつInP/InGaAs複合材料-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターを実証した。ダミーゲートを用いて,そしてアンダーカットしたチャネルにおける横方向に埋め込んだ再成長により150nm長さのチャネルを作製した。ダミーゲートを置きかえることにより再成長後にゲートスタックを形成した。再成長層のキャリアー濃度は4.9×10¹⁹cm^-3だった。ドレイン電圧V_d=1Vおよびゲート電圧V_g=3Vでの最大ドレイン電流は0.93mA/μm,V_d=0.65Vで最大相互コンダクタンスは0.53mS/μmだった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： サブミクロン加工 ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *複合材料 ,  MOCVD ,  *MOSFET ,  *チャネル ,  結晶成長 ,  キャリア密度 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  再成長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• ITRS 2009 PIDS. 2009
• KIM, D.-H. IEEE Trans. Electron Devices. 2008, 55, 2546
• HILL, R. J. W. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 1080
• XUAN, Y. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 294
• LIN, T. D. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 033516

タイトルに関連する用語 (9件)： 再成長 ,  ソース ,  サブ ,  InP ,  InGaAs ,  複合材料 ,  チャネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスター