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J-GLOBAL ID：201002241029791538   整理番号：10A1134543

三次元積層型集積回路のための自己組織化チップ位置合せ技術

著者 (7件)： 岩田永司 (東北大 大学院工学研究科) ,  福島誉史 (東北大 未来科学技術研究セ) ,  大原悠希 (東北大 大学院工学研究科) ,  LEE Kang-Wook (東北大 未来科学技術研究セ) ,  田中徹 (東北大 大学院工学研究科) ,  田中徹 (東北大 大学院医工学研究科) ,  小柳光正 (東北大 未来科学技術研究セ)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J93-C  号： 11  ページ： 493-502  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 従来のDie-to-Wafer三次元集積化技術の概念を発展させ,自己組織化を基盤とした三次元集積化技術に関する研究を推進してきた。ロボットによるpick-and-place方式で1チップずつ機械的に位置合せして積層するこれまでのDie-to-Wafer三次元集積化技術に対して,液体の表面張力を駆動源としたバッチ式のチップ位置合せ技術を採用していることが最大の利点である。1μm以内の高い精度で瞬時に多数の良品チップを一括して位置合せすることが可能であり,位置合せ精度とアセンブリ時間のトレードオフ問題も解消できる。本研究では,使用する液体の表面張力やチップサイズ,液量などに着目して位置合せ精度に影響する要因を追及した。特に70mN/m以上の高い表面張力を有する希フッ化水素酸を液体として採用し,5mm角のチップを用いて平均位置合せ精度約300nmを得ることに成功した。また,ウェーハ上に自己組織的に位置合せされたチップは,荷重をかけずに酸化膜を介して室温で強固に直接接合できることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *積層成形 ,  *高密度実装 ,  *自己組織化 ,  界面張力 ,  フッ化水素 ,  接合
準シソーラス用語： *三次元実装 ,  位置合わせ ,  フッ化水素酸 ,  直接接合

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (33件)：

• G. G. Shahidi,“Device architecture: Ultimate planar CMOS limit and sub-32nm device options,” 2009 IEDM Short Course: Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies, Baltimore, Dec.2009.
• M. Koyanagi, H. Kurino, K. W. Lee, K. Sakuma, N. Miyakawa, and H. Itani “Future system-on-silicon LSI chips,” IEEE Micro, vol.18, no.4, pp. 17-22, July Aug.1998.
• M. Koyanagi, T. Fukushima, and T. Tanaka,“Highdensity through silicon vias for 3-D LSIs,” Proc. IEEE, vol.97. no.1, pp. 49-59, Jan.2009.
• M. Koyanagi,“Roadblocks in achieving three-dimensional LSI,” Proc.8th Symposium on Future Electron Devices, pp. 55-60, Tokyo, Oct.1989.
• T. Matsumoto, M. Satoh, K. Sakuma, H. Kurino, N. Miyakawa, H. Itani, and M. Koyanagi,“New three dimensional wafer bonding technology using the adhesive injection method,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.37, no.3B, pp. 1217-1221, March 1998.

タイトルに関連する用語 (3件)： 集積回路 ,  自己組織化 ,  位置合せ