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J-GLOBAL ID：201002245822722372   整理番号：10A0235455

リソグラフィーのためのXeベースのZ-ピンチ放電生成プラズマ(DPP)EUV光源

Xe-based Z-pinch Discharged Produced Plasma (DPP) EUV Source for Lithography

著者 (4件)： HUANG Bin (Tokyo Inst. Technol.) ,  TAKIMOTO Yasuhiro (Tokyo Inst. Technol.) ,  WATANABE Masato (Tokyo Inst. Technol.) ,  HOTTA Eiki (Tokyo Inst. Technol.)
資料名： 電気学会パルスパワー研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： PPT-10  号： 19-20.22-23  ページ： 15-18  発行年： 2010年02月22日 
JST資料番号： L4030A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体産業の発展は新しいリソグラフィー技術を必要としている。極端紫外線リソグラフィー(EUVL)は次世代リソグラフィーの最も有望な候補であるとみなされている。適切なEuv光源を開発するために,高周波予備イオン化システムとともにガスジェットタイプの同軸二重ノズル電極を設計しており,キセノンを燃料ガスとして使用する。プラズマ動力学を,可視領域高速度カメラで観測し分析した。さらに,時間積分EUVパワーと放射領域を研究するためにEUVピンホールイメージを撮影した。時間積分強度はフォトダイオードから取得した時間分解EUV放出と比較された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光源 ,  極端紫外線 ,  *フォトリソグラフィー ,  キセノン ,  プラズマ ,  Zピンチ ,  積分
準シソーラス用語： *EUV光源 ,  *EUVリソグラフィー ,  放電プラズマ ,  時間積分

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光源,照明器具  (NB12020F)

引用文献 (6件)：

• M. van den Brink, “Semiconductor technology trends driving the lithography roadmap,”in Proc. ASML Investor Day, pp. 66-75(2007).[Online]. Available: http://www.asml.com/asml/show.do?ctx=32938
• Katsuhiko Marakami, Shinji Okazaki: “EUV Lithography and Exposure Tool”, J.Plasma Fusion Res., Vol.79, No.3, pp. 221-225(2003)
• Eiki Hotta: “Discharge Produced Plasma Light Sources-Present status of Discharge Produced Plasma Light Sources Development”, J.Plasma Fusion Res., Vol.79, No.3, pp. 245-251(2003)
• S V Zakharov, V S Zakharov, V G Novikov2, M Mond, P Choi: “Plasma dynamics in a hollow cathode triggered discharge with the influence of fast electrons on ionization phenomena and EUV emission”, Plasma Sources.Sci Technol., Vol 17, No.2, 024017(2008)
• S. L. Jacksona and U. Shumlak: “Abel inversion of a holographic interferogram for determination of the density profile of a sheared-flow Z pinch”, Rev. Sci. Instrum., Vol.77, No.083502(2006)

タイトルに関連する用語 (6件)： リソグラフィー ,  Xe ,  放電 ,  プラズマ ,  DPP ,  EUV光源