文献

J-GLOBAL ID：201002246412365099   整理番号：10A0565020

プラズマエッチング中におけるシリコンウエハ及びチャンバーパーツの低コヒーレンス干渉測定ベース非接触温度モニタリング

Low-Coherence Interferometry-Based Non-Contact Temperature Monitoring of a Silicon Wafer and Chamber Parts during Plasma Etching

著者 (6件)： KOSHIMIZU Chishio (Tokyo Electron AT Ltd., Yamanashi, JPN) ,  KOSHIMIZU Chishio (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  OHTA Takayuki (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  MATSUDO Tatsuo (Tokyo Electron AT Ltd., Yamanashi, JPN) ,  TUCHITANI Shigeki (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  ITO Masafumi (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 5  ページ： 056201.1-056201.3  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ファイバベース低コヒーレンス干渉測定を用いて,プラズマエッチングプロセスにおけるシリコンウエハ及びチャンバーパーツの温度の実時間非接触モニタリングを行った。測定を,二重周波数容量結合Ar/C₄F₈/O₂プラズマにおいて行った。780μm厚Siウエハの温度を,0.11Kの偏差で測定した。オンウエハ温度センサのその場測定結果と光ファイバ型蛍光温度センサとの間の比較は,低コヒーレンス干渉測定が,実時間でのSiウエハの温度のモニタリングに優れた性能をもつことを確認した。この方法は,プロセス再現性の改善により,エッチング性能の良好な制御を可能にした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *温度測定 ,  *プラズマエッチング ,  ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *干渉測定 ,  監視
準シソーラス用語： モニタリング ,  *シリコン ,  非接触 ,  実時間 ,  容量結合プラズマ ,  その場測定

分類 (2件)： 温度測定,温度計  (AD06010K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (19件)：

• OHIWA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, 405
• OSHIO, H. J. Electrochem. Soc. 2000, 147, 4273
• SUGAI, H. J. Vac. Sci. Technol. A. 1995, 13, 887
• SCHAEPKENS, M. J. Vac. Sci. Technol. A. 1998, 16, 2099
• HIKOSAKA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 2157

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマエッチング ,  シリコンウエハ ,  コヒーレンス ,  干渉測定 ,  非接触 ,  モニタリング