溶出型電気化学機械的研磨について除去速度シミュレーション

FUKUDA Akira; KODERA Akira; TOMA Yasushi; SUZUKI Tsukuru; HIYAMA Hirokuni; DOI Toshiro; KUROKAWA Syuhei; OHNISHI Osamu

文献

J-GLOBAL ID：201002246840714847 整理番号：10A0814367

溶出型電気化学機械的研磨について除去速度シミュレーション

Removal Rate Simulation of Dissolution-Type Electrochemical Mechanical Polishing

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 7,Issue 1 ページ： 076701.1-076701.8 発行年： 2010年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

溶出型研磨のメカニズムに基づいた電気化学的機械的研磨(ECMP)におけるCu除去速度シミュレーションに関する新規な方法を開発した。Cu除去速度における保護層の効果をこの方法で検討した。なぜなら,保護層は溶出型研磨メカニズムにおける重要な要素であるからだ。この方法はロータリー型ECMPシステムにおける除去速度をシミュレーションするために用いられる。そのシミュレーションは口径比におけるCu除去速度の依存を正確に与えた。さらに,口径比におけるCu除去速度の依存は時間とともに保護層の平均量の変化に関して表した。しかしながら,口径の直径におけるCu除去速度の依存性に関して,実験結果とシミュレーションの間に矛盾が見られた。なぜなら,この方法は開口部における電解液充填比での口径の直径の効果の効果を考慮に入れることができないからである。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (24件)：

H. Nagai, K. Maekawa, M. Iwashita, M. Muramatsu, K. Kubota, K. Hinata, T. Kokubo, A. Shiota, M. Hattori, H. Nagano, K. Tokushige, M. Kodera, and K. Mishima: Proc. IEEE Int. Interconnect Technology Conf., 2004, p. 145.
T. Doi, H. Hiyama, A. Fukuda, and S. Kurokawa: Seimitsu Kogaku Kaishi 73(2007)745 [in Japanese].
S. Kondo, S. Tokitoh, B. IJ. Yoon, A. Namiki, A. Sone, N. Ohashi, K. Misawa, S. Sone, H. J. Shin, T. Yoshie, K. Yoneda, M. Shimada, S. Ogawa, I. Matsumoto, and N. Kobayashi: Proc. IEEE Int. Interconnect Technology Conf., 2003, p. 86.
Y. Wada, I. Noji, I. Kobata, T. Kohama, A. Fukunaga, and M. Tsujimura: Proc. IEEE Int. Interconnect Technology Conf., 2005, p. 126.
L. Economikos, X. Wang, X. Sakamoto, P. Ong, M. Naujok, R. Knarr, L Chen, Y. Moon, S. Neo, J. Salfelder, A. Duboust, A. Manens, W. Lu, S Shrauti, F. Liu, S. Tsai, and W. Swart: Proc. IEEE Int. Interconnect Technology Conf., 2004, p. 233.

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