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J-GLOBAL ID:201002249802855630   整理番号:10A0361402

RFプラズマCVD法により作製したDLC薄膜の熱電性能評価

Evaluation of Thermoelectric Performance of Diamond Like Carbon Thin Films Prepared by RF Plasma CVD
著者 (3件):
資料名:
巻: 61  号:ページ: 325-329  発行年: 2010年04月01日 
JST資料番号: G0441B  ISSN: 0915-1869  CODEN: HYGIEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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DLC薄膜の優しい熱電材料としての可能性を調べるためにRFプラズマズマCVD法を用いてSiドープDLC薄膜を作製した。薄膜のSeebeck係数,電気抵抗率および熱伝導率を評価した。作製したDLC薄膜はP型半導体であり,Seebeck係数の値は従来の熱電材料であるZnAlOあるいはBiTeの値と比較して1/5~1/100程度であった。Siドープの有無によるSeebeck係数の差はほとんどなかった。DLC薄膜の電気抵抗率は温度上昇とともに指数関数的に減少した。従来の熱電材料と比較すると電気抵抗率の値は105~1010倍と非常に大きかった。DLC薄膜の熱電材料としての性能の向上のためには,特に電気抵抗率をより小さくするための薄膜の組成および成膜方法を検討する必要がある。
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分類 (3件):
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非晶質・液体半導体の電気伝導  ,  半導体薄膜  ,  炭素とその化合物 
引用文献 (24件):
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