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J-GLOBAL ID：201002255689620699   整理番号：10A0277170

三次元集積化技術の課題と展望

Key Issues and Future Prospect for 3-D Integration Technology

著者 (4件)： 小柳光正 (東北大 大学院工学研究科) ,  福島誉史 (東北大 大学院工学研究科) ,  LEE Kang-Wook (東北大 大学院工学研究科) ,  田中徹 (東北大 大学院医工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 412(SDM2009 182-192)  ページ： 1-6  発行年： 2010年01月29日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Mooreの法則で知られるように,これまで,LSIは,微細加工技術の進歩に伴う半導体素子の微細化により,著しい速度で高性能化,大容量化が達成されてきた。しかし,微細加工技術が32nmノード,22nmノードと進むにつれて,素子の微細化に伴う様々な問題が指摘されるようになっている。このような問題を解決するためには,素子の微細化だけでなく,LSIに実装技術やMEMS技術,フォトニクス技術などの異種技術を融合して,システム全体で高性能化,高機能化をはかる新しい集積化技術が必要となる。いわゆる,More than Moore技術である。したがって,今後のLSI開発は,素子の微細化を更に進めるMore Moore技術と,異種技術を融合するMore than Moore技術を車の両輪のようにうまく協調,共存させながら進めていくことが重要になる。本報告では,More than Moore技術を代表する技術の一つである3次元集積化技術について,現状の課題と将来の可能性について言及する。(著者抄録)

シソーラス用語： *超LSI ,  *高密度実装 ,  バイアホール ,  バンプ ,  *技術展望 ,  自己組織化 ,  法則
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  マイクロバンプ ,  *三次元実装 ,  Mooreの法則

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• KOYANAGI, M. Roadblocks in Achieving Three-Dimen sional LSI. Proc. 8th Symposium on Future Electron Devices, 1989. 1989, 50-60
• TAKATA, H. A novel fabrication technology for optically interconnected three-dimensional LSI by wafer aligning and bonding technique. Proc. Int. Semiconductor Device Research Symposium, 1991. 1991, 327-330
• MATSUMOTO, T. Three-dimensional integration technology based on wafer bonding technique using micro-bumps. Extended Abstr. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 1995. 1995, 1073-1074
• MATSUMOTO, T. New three-dimensional wafer bonding technology using the adhesive injection method. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 1, 3, 1217-1221
• KOYANAGI, M. Future system-on-silicon LSI chips. IEEE MICRO. 1998, 18, 4, 17-22

タイトルに関連する用語 (2件)： 三次元集積化 ,  展望