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文献
J-GLOBAL ID:201002266526847930   整理番号:10A1140027

金属薄膜を用いた原子拡散接合の開発

著者 (2件):
資料名:
巻: 49  号: 11  ページ: 521-527  発行年: 2010年11月01日
JST資料番号: F0163A  ISSN: 1340-2625  CODEN: MTERE2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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ナノスケールの厚みの金属簿膜を用いて室温でウエハを接合する技術を紹介した。高機能デバイス形成技術として期待できる。典型的な例を示しながら,接合に用いる金属薄膜の種類と接合後の構造並びに原子拡散係数との関係を述べた。また,接合膜厚の低減の実験結果を例に,電子デバイス作製への応用を考察した。貴金属系の薄膜を用いて,薄膜形成後にウエハを大気中に取出した後で接合した場合の接合条件と膜の構造について,酸化物の形成自由エネルギーを考慮に入れて考察した結果も述べた。微結晶薄膜を用いた原子拡散接合法は,室温でウエハを接合する有用な手法である。実験結果から,接合膜の構造は,原子の拡散係数と密接な関係があり,結晶粒界における大きな拡散速度が,室温における接合を可能にしていると推察した。一般的に用いられるあらゆる金属膜を用いた接合が可能であると考えられ,1原子層相当の膜厚があれぱウエハを強固に接合できる。一方,酸化物を形成し難い貴金属系の薄膜を用いた場合には,大気圧における接合も可能である。
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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