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J-GLOBAL ID：201002269350522052   整理番号：10A0235783

トレハロース誘導体レジスト材料を用いた80nm高密度線のステップアンドフラッシュナノインプリントリソグラフィー

Step and Flash Nano Imprint Lithography of 80nm Dense Line Pattern Using Trehalose Derivative Resist Material

著者 (3件)： TAKEI Satoshi (Nissan Chemical Inst., Ltd., Chiba, JPN) ,  TAKEI Satoshi (Univ. Texas, TX, USA) ,  TAKEI Satoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 2  ページ： 025202.1-025202.3  発行年： 2010年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先端的代替リソグラフィー技術の一つであるステップアンドフラッシュナノインプリントリソグラフィー用に,特異な望ましい性質を有する高分解能トレハロース誘導体レジストを開発することに成功した。ステップアンドフラッシュナノインプリントリソグラフィーでは高分解能,薄い残留レジスト厚,雰囲気温度,製造費用の低下が期待される。紫外架橋工程によるナノインプリントリソグラフィーで優れた80nm高密度線パターン形成を実証した。新たに開発したトレハロース誘導体レジストの膜厚収縮率はアクリレート型レジストのそれよりも小さく,高分解能ナノインプリントパターンを得るための鍵の一つである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  回路パターン形成 ,  押付成形 ,  *フォトレジスト ,  紫外線照射 ,  高分解能 ,  二糖類 ,  ピラノシド ,  グルコシド
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  ステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： トレハロース

引用文献 (20件)：

• SELENIDIS, K. Proc. SPIE. 2009, 7271, 72711W
• WILLSON, C. G. J. Photopolym. Sci. Technol. 2009, 22, 147
• SELENIDIS, K. Proc. SPIE. 2007, 6370, 63700F
• KAWAMURA, D. Proc. SPIE. 2009, 7273, 72731O
• PUTNA, E. S. Proc. SPIE. 2009, 7273, 72731L

タイトルに関連する用語 (4件)： トレハロース ,  誘導体 ,  レジスト材料 ,  高密度