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J-GLOBAL ID：201002269483375087   整理番号：10A1451933

高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成

Fabrication of Highly Crystalline-Oriented Poly-Si Thin Films by using Double-Line-Beam CLC for High Performance LPTS-TFT

著者 (6件)： 黒木伸一郎 (東北大 大学院工学研究科) ,  川崎雄也 (東北大 大学院工学研究科) ,  藤井俊太朗 (東北大 大学院工学研究科) ,  小谷光司 (東北大 大学院工学研究科) ,  伊藤隆司 (東京工大 ソリューション研究機構) ,  伊藤隆司 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 241(SDM2010 152-170)  ページ： 45-48  発行年： 2010年10月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 石英基板上にレーザ結晶化により3軸配向性の高いPoly-Si薄膜を形成した。連続発振レーザを用い,ビームスポットを,直線状ビームを2本並べたダブルラインビームとすることで,結晶化時の過冷却温度を比較的均一に保つことで選択的に特定の結晶粒の結晶成長を行うことができた。得られた結晶薄膜は,ラテラル結晶化面に{11O},面内でこれに垂直な面に{111},表面方向に{211}の面方位を有している。またシリコン結晶グレインは大粒径化し,長軸方向に100μm以上,短軸方向の平均長さ0.7μmの大きさをもつ1次元状結晶グレインが得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ポリシリコン ,  多結晶 ,  基板 ,  *結晶化 ,  レーザ ,  結晶粒 ,  結晶成長 ,  ビームスポット ,  石英基板
準シソーラス用語： LTPS【シリコン】 ,  *TFT【トランジスタ】 ,  *レーザ結晶化

分類 (1件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

引用文献 (5件)：

• SAMESHIMA, T. IEEE Electron Device Lett. 1986, 7, 276
• HARA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 1269
• FUJII, S. Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2008, 766
• Natl. Bur. Stand. (U.S.) Monogr. 25, 13, 35. 1976
• SPINELLA, C. J. Appl. Phys. 1998, 84, 10, 5383

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  LTPS ,  TFT ,  LINE ,  結晶配向 ,  Si薄膜