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J-GLOBAL ID：201002272862869128   整理番号：10A0695620

四端子法を用いたSb₂Te₃とGe₂Sb₂Te₅融液の電気抵抗率測定

Electric Resistivity Measurements of Sb₂Te₃ and Ge₂Sb₂Te₅ Melts Using Four-Terminal Method

著者 (7件)： ENDO Rie (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MAEDA Shimpei (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  JINNAI Yuri (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  LAN Rui (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KUWAHARA Masashi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI Yoshinao (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SUSA Masahiro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 6,Issue 1  ページ： 065802.1-065802.7  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,液体Sb₂Te₃とGe₂Sb₂Te₅の電気抵抗率を測定することをめざした。電気抵抗率は,四端子法を用いて測定した。第一に,液体GaとSnの電気抵抗率を測定して,この方法を立証した。第二に,Sb₂Te₃とGe_1.6Sb_2.0Te_5.0の電気抵抗率を,試料の各融点と1020Kの間の温度範囲で測定した。Sb₂Te₃の電気抵抗率は,992Kで4.36±0.14μΩmであると決定した。不確実性は測定における不確実性表現へのガイドに基づいて決定した。Ge_1.6Sb_2.0Te_5.0の電気抵抗率はSb₂Te₃のそれより小さい。両抵抗率が温度上昇によって減少することも分かった。これは両液体材料が半導体として振舞うことを示す。従って,擬ギャップモデルを,電気活性化エネルギーを導くために適用した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 精密測定 ,  *アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  液体 ,  *電気抵抗率 ,  *計測 ,  液体金属 ,  ガリウム ,  スズ ,  融点 ,  不確実性 ,  温度依存性 ,  *半導体 ,  擬ギャップ ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： 四端子法 ,  融液

分類 (2件)： R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (31件)：

• M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters: Nat. Mater.4(2005)347.
• D. Lencer, M. Salinga, B. Gravowski, T. Hickel, J. Neugebauer, and M. Wuttig: Nat. Mater.7(2008)972.
• M. Wuttig, D. Lusebrink, D. Wamwangi, W. Welnic, M. GilleBen, and R. Dronskowski: Nat. Mater.6(2007)122.
• M. P. Vukalovich, V. I. Fedorov, A. S. Okhotin, and V. M. Glazov: Inorg. Mater.2(1966)719.
• V. M. Glazov, A. N. Krestovnikov, N. N. Glagoleva, and S. B. Evgen’ev: Inorg. Mater.2(1966)1262.

タイトルに関連する用語 (3件)： 四端子法 ,  融液 ,  電気抵抗率