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J-GLOBAL ID：201002282062150112   整理番号：10A0908773

高度にアンチモンをドープしたシリコン結晶におけるドーパントクラスタ

A Dopant Cluster in a Highly Antimony Doped Silicon Crystal

著者 (15件)： KIM Suhyun (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OSHIMA Yoshifumi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OSHIMA Yoshifumi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAWADA Hidetaka (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SAWADA Hidetaka (Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN) ,  HASHIKAWA Naoto (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  ASAYAMA Kyoichiro (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  KANEYAMA Tosikatu (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KANEYAMA Tosikatu (Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN) ,  KONDO Yukihito (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KONDO Yukihito (Japan Electron Optics Lab., Tokyo, JPN) ,  TANISHIRO Yasumasa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TANISHIRO Yasumasa (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TAKAYANAGI Kunio (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKAYANAGI Kunio (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 8  ページ： 081301.1-081301.3  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六員環内で互いに向かい合った2つのアンチモン原子からなるドーパントクラスタを,電気的にクラスタを不活性化する臨界値よりやや高いドーパント濃度(5×10²⁰cm^-3)のシリコン結晶中に見いだした。50pmの分解能を持つ収差補正型走査電子顕微鏡を使ってこのクラスタを検出した。semi-angleにおいて30mradの広角収束ビームによって,約2nmの改善された被写界深度を持つ断面像が得られた。ドーパントクラスタは,像強度の統計的解析によって孤立アンチモン原子から識別した。これらのクラスタは臨界ドーパント濃度での電気的不活性化を引き起こすことができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アンチモン ,  *添加物効果 ,  ケイ素 ,  単結晶 ,  *ドーパント ,  *クラスタ ,  走査電子顕微鏡 ,  半導体 ,  単結晶シリコン ,  被写界深度

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (15件)：

• GOSSMANN, H.-J. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000, 610, B1.2.1
• LARSEN, A. N. J. Appl. Phys. 1986, 59, 1908
• RADAMSON, H. H. J. Appl. Phys. 1994, 76, 763
• CHADI, D. J. Phys. Rev. Lett. 1997, 79, 4834
• PANDEY, K. C. Phys. Rev. Lett. 1988, 61, 1282

タイトルに関連する用語 (3件)： アンチモン ,  ドープ ,  シリコン結晶