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J-GLOBAL ID：201002282228074223   整理番号：10A0500539

Si量子ドットの二次元アレイにおけるランダム電信信号

Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots

著者 (4件)： MAKIHARA Katsunori (Hiroshima Univ., Higashihiroshima-shi, JPN) ,  IKEDA Mitsuhisa (Hiroshima Univ., Higashihiroshima-shi, JPN) ,  KAWANAMI Akira (Hiroshima Univ., Higashihiroshima-shi, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Hiroshima Univ., Higashihiroshima-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E93-C  号： 5  ページ： 569-572  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ~10¹²cm^-2と同じくらい高い面密度をもつケイ素量子ドット(Si-QD)を,Si₂H₆を用いた低圧CVDにより熱成長SiO₂上に自己集合した。ここで,Si CVDの前にOH終端SiO₂表面を,核形成サイトを均一に生成するためにGeH₄へ露出した。Si-QD表面の熱酸化後,Si-QDアレイを通る二次元電子輸送を,アレイ表面上に蒸着したコプレーナAl電極を用いて測定した。ランダム電信信号を,室温の暗状態と光照射下における一定印加バイアス条件で明確に観測した。結果により,ドットの帯電と放電がドットアレイのパーコレーション電流パスと近接することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電信 ,  信号 ,  *ランダム信号 ,  *量子ドット ,  *ケイ素 ,  エレクトロトランスポート ,  パーコレーション ,  *アレイ ,  化学蒸着
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  Si ,  電子輸送

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (11件)：

• ONO, Y. Single-electron and quantum SOI devices. Microelectronic Eng. 2001, 59, 435-442
• NRUYADI, R. Single-photon-induced random telegraph signal in a two-dimensional multiple-tunnel-junction array. Physical Review B. 2006, 73, 045310
• TIWARI, S. A silicon nanocrystals based memory. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 1377-1379
• IKEDA, M. Multiple-step electron charging in silicon-quantum-dot floating gate metal-oxide-semiconductor memories. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 4143-4137
• LIKHAREV, K. K. Single-. electron tunnel junction array : An. electrostatic analog of the josephson. transmission line. IEEE Trans. Magn. 1989, 25, 1436-1439

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  量子ドット ,  アレイ ,  電信