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J-GLOBAL ID：200902205454451875   整理番号：03A0506463

シリコン量子ドットフローティングゲート金属-酸化物-半導体メモリにおける多段階電子充電

Multiple-Step Electron Charging in Silicon-Quantum-Dot Floating Gate Metal-Oxide-Semiconductor Memories

著者 (4件)： IKEDA M (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  SHIMIZU Y (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MURAKAMI H (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 6B  ページ： 4134-4137  発行年： 2003年06月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン量子ドット(QD)フローティングゲートをもつMOSF...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• 1) S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, H. Hartstein, E. F. Crabbé and K. Chan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1377.
• 2) S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, L. Shi and H. Hanafi: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1232.
• 3) A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, S. Miyazaki and M. Hirose: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L721.
• 4) J. J. Welser, S. Tiwari, S. Rishton, K. Y. Lee and Y. Lee: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 278.
• 5) L. Guo, E. Leobandung and Y. Chou: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 850.

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  量子ドット ,  フローティングゲート ,  酸化物 ,  半導体メモリ ,  段階 ,  電子 ,  充電