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J-GLOBAL ID：201002282737849005   整理番号：10A0700726

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタに基づく不揮発性メモリの単一正孔充放電現象

Single-Hole Charging and Discharging Phenomena in Carbon Nanotube Field-Effect-Transistor-Based Nonvolatile Memory

著者 (6件)： OHORI Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAGASO Satoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OHNO Yasuhide (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAEHASHI Kenzo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE Koichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUMOTO Kazuhiko (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 6,Issue 2  ページ： 06GG13.1-06GG13.4  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トップゲートカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNTFET)に基づく不揮発性メモリを作製した。SiN_xとSiO₂の二種類の絶縁膜を堆積させて,単層CNTチャンネルの周りの水分子を除去した後のヒステリシス特性を制御した。SiN_x膜とSiO₂膜の界面は不揮発性メモリの電荷蓄積ノードの役目をすると予想される。作製したCNTFET系メモリ素子は明確な記憶効果と電荷蓄積に対する良好な保持特性を示した。また,SiN_x膜とSiO₂膜の界面で捕獲される電子の数を減少させて,CNTFET系メモリ素子で単一正孔充放電現象を明確に観測した。これらの結果はCNTFET系不揮発性メモリを用いて単一電子メモリを実現できることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 充放電サイクル ,  *FET【トランジスタ】 ,  *カーボンナノチューブ ,  *不揮発性メモリ ,  絶縁膜 ,  窒化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  ヒステリシス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (23件)：

• M. Bockrath, D. Cobden, P. McEuen, N. Chopra, A. Zettl, A. Thess, and R. Smalley: Science 275(1997)1922.
• S. Iwasaki, M. Maeda, T. Kamimura, K. Maehashi, Y. Ohno, and K. Matsumoto: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)2036.
• Y. Ohno, Y. Asai, K. Maehashi, K. Inoue, and K. Matsumoto: Appl. Phys. Lett.94(2009)053112.
• J. Wang: Electroanalysis 17(2005)7.
• J. Okuno, K. Maehashi, K. Kerman, K. Matsumoto, Y. Takamura, and E. Tamiya: Biosens. Bioelectron.22(2007)2377.

タイトルに関連する用語 (5件)： カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  不揮発性メモリ ,  正孔 ,  充放電 ,  現象