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J-GLOBAL ID：200902280966932974   整理番号：08A0565548

欠陥誘導プラズマプロセスを使用して作られた室温カーボンナノチューブ単一電子トランジスタ

Room-Temperature Carbon Nanotube Single-Electron Transistors Fabricated Using Defect-Induced Plasma Process

著者 (6件)： IWASAKI Shin (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAEDA Masatoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KAMIMURA Takafumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAEHASHI Kenzo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OHNO Yasuhide (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUMOTO Kazuhiko (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 4 Issue 1  ページ： 2036-2039  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CNTチャンネル上にSiO²保護膜を有する室温動作カーボンナノチューブ単一電子トランジスタ(CNT-SETs)の作製のための欠陥誘導プラズマプロセスを提案し実証した。SiO²保護膜を通したO²プラズマ照射によってCNTチャンネルに欠陥を導入した後に,多重量子ドットをCNTチャンネル内に作製した。クーロン(Coulomb)ブロッケード効果の結果としてゲート電圧の関数としてのドレイン電流における発振が室温で観測されることをCNT-SETsの電気物性は示唆した。CNT-SETsの高収率を得る目的のためにCNTチャンネル上のSiO²保護膜の厚さ依存性を調べた。CNT-SETsの収率はCNTチャンネル上のSiO²保護膜の厚さに依存していることを報告した。結果は,SiO²保護膜厚さが60ナノメートル(nm)であるときに,CNT-SETsの高収率が約35%と同じくらい高いことを示した。その結果,欠陥誘導プラズマプロセスは室温で作動するCNT-SETsの高収量効率を得ることに役立つことが確認できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 欠陥 ,  プラズマ処理 ,  室温 ,  *カーボンナノチューブ ,  *単一電子トランジスタ ,  チャネル ,  二酸化ケイ素 ,  保護膜 ,  酸素 ,  プラズマ曝露 ,  量子ドット ,  Coulombブロッケード ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流 ,  収率 ,  膜厚

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

引用文献 (19件)：

• N. Wang, Z. K. Tang, G. D. Li, and J. S. Chen: Nature 408(2000)50.
• A. Javey, J. Guo, Q. Wang, M. Lundstrom, and H. Dai: Nature 424(2003)654.
• S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker: Nature 393(1998)49.
• D. Kaminishi, H. Ozaki, Y. Ohno, K. Maehashi, K. Inoue, K. Matsumoto, Y. Seri, A. Masuda, and H. Matsumura: Appl. Phys. Lett.86(2005)113115.
• Z. Chen, J. Appenzeller, J. Knoch, Y. Lin, and P. Avouris: Nano Lett.5(2005)1497.

タイトルに関連する用語 (6件)： 欠陥 ,  誘導プラズマ ,  プロセス ,  室温 ,  カーボンナノチューブ ,  単一電子トランジスタ