p型とn型有機電界効果トランジスタの輸送特性における高分子とSiO<sub>2</sub>ゲート絶縁体に関する比較研究

OKU Shinya; NAGASE Toshiya; NAGAMATSU Shuichi; TAKASHIMA Wataru; KANETO Keiichi

文献

J-GLOBAL ID：201002283987201058 整理番号：10A0133865

p型とn型有機電界効果トランジスタの輸送特性における高分子とSiO₂ゲート絶縁体に関する比較研究

Comparative Study on Gate Insulators of Polymers and SiO₂ in Transport Properties of p- and n-Type Organic Field-Effect Transistors

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著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 1,Issue 2 ページ： 01AB14.1-01AB14.4 発行年： 2010年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

有機電界効果トランジスタ(OFET)の電界効果移動度と閾値電圧を研究して,Si/SiO₂と柔軟高分子基板間のOFET性能の違いを明らかにした。高分子OFETはポリイミド(PI)をゲート絶縁体とし,基板のポリ(エチレンナフタレート)(PEN)膜に構築した。ペンタセンとN,N’-ジトリデシルペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸ジイミド(PTCDI-C13)をp型とn型半導体として利用した。高分子基板上のn型OFETはSi/SiO₂上のそれらに比べてより高い電子移動度とより小さな閾値電圧を表した。それどころか,Si/SiO₂基板上のp型OFETは高分子基板上より良い輸送性能を示した。結果は,(OFET特性を修正すると思われる)SiO₂とPIゲート絶縁体間の表面電位差を考慮して議論した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ , 酸化物薄膜 , 有機化合物の薄膜

引用文献 (24件)：

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p型とn型有機電界効果トランジスタの輸送特性における高分子とSiO2ゲート絶縁体に関する比較研究

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