内部線形アンテナ誘導結合プラズマ源によって堆積させた低温窒化シリコンの特性に対するDCバイアス電圧の影響

GWEON Gwang Ho; LIM Jong Hyeuk; HONG Seung Pyo; YEOM Geun Young; YEOM Geun Young

文献

J-GLOBAL ID：201002293281005464 整理番号：10A0565079

内部線形アンテナ誘導結合プラズマ源によって堆積させた低温窒化シリコンの特性に対するDCバイアス電圧の影響

Effect of DC Bias Voltage on the Characteristics of Low Temperature Silicon-Nitride Films Deposited by Internal Linear Antenna Inductively Coupled Plasma Source

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資料名：
巻： 49 号： 5,Issue 1 ページ： 056505.1-056505.5 発行年： 2010年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

内部線形誘導結合プラズマを用いて100°C以下の温度で堆積させた窒化シリコンの特性を,NH₃/SiH₄比,およびフレキシブル表示装置用のゲート誘電材料に使用される基板に対するイオン衝突エネルギー(dcバイアス電圧)の関数として調べた。NH₃/SiH₄比を2に減少させ,さらにdcバイアス電圧を-150Vに増大させることにより,Si-O結合が減少,Si-N結合が増大し,結果としてより窒素リッチなSiN_x薄膜が生じることがわかった。さらに,種々のdcバイアス電圧において堆積させたSiN_x薄膜から作製した金属絶縁体半導体デバイスの容量-電圧測定から,循環的電圧測定における履歴曲線と,履歴電圧の減少によるdcバイアス電圧の増大が明らかになった。dcバイアス電圧-150V,NH₃/SiH₄比2で測定した界面トラップ密度は,約2×10¹¹cm^-2の最低界面トラップ電荷密度を示した。これらの条件下で,誘電定数は7.2という高い値が得られた。(翻訳著者抄録)

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気相めっき , トランジスタ , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (28件)：

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