EUV-IL透過型回折格子の製作プロセス

YAMAGUCHI Yuya; FUKUSHIMA Yasuyuki; IGUCHI Takafumi; KINOSHITA Hiroo; HARADA Tetsuo; WATANABE Takeo

文献

J-GLOBAL ID：201002296616258612 整理番号：10A0710885

EUV-IL透過型回折格子の製作プロセス

Fabrication Process of EUV-IL Transmission Grating

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0710885&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0710885&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L0202A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 23 号： 5 ページ： 681-686 発行年： 2010年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

EUV(極端紫外線)干渉リソグラフィー(EUV-IL)の露光ツールが,22nmおよび16nmノード以下のEUVレジスト評価のために開発されてきた。透過型回折格子の製作は,EUV-ILのキーテクノロジーである。膜領域に,亀裂や座屈が無いEUV-ILの透過型回折格子を,SiO₂およびTaN層の膜ストレスを制御することにより製作した。さらに,SiO₂ハードマスクプロセスを適用し,50nmL/Sの回折格子パターンを製作した。さらに,中央ストップを透過回折格子製作に追加した。そして,この透過型回折格子を使用して,25nmhpパターンをEUV-IL法によりウエハ上に複製した。SiO₂ハードマスクプロセスは,ウエハ上の20nmhpレジストパターンに対応する40nmhp格子の製作が重要であることを確認した。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , , , , , , , ,
, , , ,

固体デバイス製造技術一般

引用文献 (7件)：

ITRS Roadmap [http//www.itrs.net/].
H. Kinoshita, K. Kurihara, Y. Ishii and Y. Torii: J. Vac. Sci. Technol. B 7(1989)1648.
H. H. Solak, D. He, W. Li, S. Singh-Gasson, F. Cerrinaa, B. H. Sohn, X. M. Yang, and P. Nealey: Appl. Phys. Lett.75(1999)2328.
H. H. Solak, C. David, J. Gobrecht, V. Golovkina, F. Cerrina, S. O. Kim, and P. F. Nealey: Microelectron. Eng.67(2003)56.
S. Hashimoto, A. Ando, M. Nibe, S. Miyamoto, Y. Shoji, Y. Fukuda, T. Tanaka, and Y. Gomei: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 467(2001)141.

, ,

前のページに戻る