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J-GLOBAL ID：201002296799092181   整理番号：10A0369993

SIMSによる無機材料評価技術-高精度SIMS深さ方向分析の現状-

SIMS analysis of inorganic materials-State-of-the art high-resolution SIMS depth profiling-

著者 (1件)： 片岡祐治 (富士通研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 79  号： 4  ページ： 321-325  発行年： 2010年04月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SIMSは高感度な物理分析法で,さまざまな分野で幅広く利用されている。特に無機材料の評価では微量元素の深さ方向分析に多用され,半導体をはじめとする各種デバイスの微細化が進む近年では,ナノメートルレベルの深さ分解能が要求されている。SIMSでは,一般に,感度の向上を目的に反応性に富む酸素やセシウムなどのイオンが一次イオンとして用いられているが,これら反応性イオンの照射は固体表面との相互作用を複雑にし,照射条件によっては深さ分解能の低下を導く。しかし,試料の性質に合わせて一次イオン照射条件を最適化することで,深さ分解能の低下は抑制することができる。現状では,一次イオンの低エネルギー化と入射角度の適切な選択によって,ナノメートルレベルの深さ分解能は実現可能なレベルにある。(著者抄録)

シソーラス用語： *二次イオン質量分析 ,  *深さ分析 ,  無機材料 ,  微量元素 ,  半導体 ,  感度 ,  酸素ビーム ,  セシウム ,  重イオン照射 ,  *スパッタリング ,  空間分解能 ,  入射角 ,  ドーピング

分類 (2件)： 質量分析  (CC03013N) ,  スパッタリング  (BK16110U)

引用文献 (18件)：

• WERNER, H. W. Vacuum. 1977, 24, 493
• ANDERSEN, C. A. Int. J. Mass Spectrom. Ion. Phys. 1969, 2, 61
• ANDERSEN, C. A. Int. J. Mass Spectrom. Ion. Phys. 1970, 3, 413
• YU, M. L. Phys. Rev. Letters. 1986, 57, 1476
• YU, M. L. Phys. Rev. Letters. 1978, 40, 574

タイトルに関連する用語 (6件)： SIMS ,  無機材料 ,  評価 ,  深さ方向 ,  分析 ,  現状