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J-GLOBAL ID：201002298449763469   整理番号：10A0235737

各種Si組成比をもつ非晶質In-Sn-Si-O薄膜トランジスタ

Amorphous In-Sn-Si-O Thin-Film Transistors Having Various Si Compositional Ratios

著者 (6件)： TAKECHI Kazushige (Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN) ,  NAKATA Mitsuru (Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Shinya (Technol. Res. Assoc. Advanced Display Materials(TRADIM), Tokyo, JPN) ,  TANABE Hiroshi (NEC LCD Technol., Ltd., Kawasaki, JPN) ,  KANEKO Setsuo (NEC LCD Technol., Ltd., Kawasaki, JPN) ,  KANEKO Setsuo (NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 2,Issue 1  ページ： 028002.1-028002.2  発行年： 2010年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ITO及び及びSiターゲットによる共スパッタリング技術を用いて,酸化物半導体TFTにおける活性層として,新しい材料,非晶質インジウム-スズ-シリコン酸化物In₁₀Sn₁Si_xO_2x+17(a-ITSO)を利用する可能性を研究した。Si組成比x=1.88は,約5cm²V^-1s^-1の電界効果移動度をもつTFT性能をもたらした。分光研究は,a-ITSO膜におけるSi組成比の多様性が化学及び電子的構造に大きな変化を生じ,a-ITSO膜の特性の大きな変化を生じることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  酸化インジウムスズ ,  *ケイ素 ,  ターゲット ,  酸化物半導体 ,  電界効果移動度
準シソーラス用語： *共スパッタリング ,  *ITO ,  シリコン ,  組成比

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira: Appl. Phys. Lett.85(2004)2541.
• K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432(2004)488.
• K. Takechi, M. Nakata, K. Azuma, H. Yamaguchi. and S. Kaneko: IEEE Trans. Electron Devices 56(2009)2027.
• T. Kamiya, K. Nomura, M. Hirano, and H. Hosono: Phys. Status Solidi C 5(2008)3098.
• Y. Ogo, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Phys. Status Solidi A 205(2008)1920.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  組成比 ,  非晶質 ,  Sn ,  薄膜トランジスタ