特許
J-GLOBAL ID：201003000104652480

成膜装置およびそれを用いた成膜方法

発明者：
山田 英雄

山田 英雄 について

, 
和戸 弘幸

和戸 弘幸 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-216895
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056146
出願日： 2008年08月26日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】超臨界流体に原料を溶解させた処理媒体を用いてトレンチ内部を埋め込むに際し、トレンチ内部にボイドが残されないように成膜を行う。【解決手段】切替部30によって処理媒体供給部10から処理媒体70をチャンバ40に供給することにより基板50の表面51側に埋め込み膜60を形成する成膜工程と、切替部30によってエッチング媒体供給部20からエッチング媒体80を供給することにより溝53の開口部側に形成された埋め込み膜60をエッチングするエッチング工程と、を繰り返し行う。これにより、溝53の開口部側に形成された埋め込み膜60をエッチング媒体80によって選択的にエッチングして溝53の開口部が埋め込み膜60によって閉塞されることを抑制しつつ、基板50の表面51側に成膜を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面(51)および裏面(52)を有する基板(50)において前記基板(50)の表面(51)側に溝(53)が形成されたものに成膜を行うに際し、チャンバ(40)内で超臨界流体に成膜原料が溶解された処理媒体(70)に前記基板(50)の表面(51)側をさらし、前記基板(50)を加熱することで前記基板(50)の表面(51)側の溝(53)内に成膜を行う成膜装置であって、 前記処理媒体(70)を供給する処理媒体供給手段(10)と、 エッチング媒体(80)を供給するエッチング媒体供給手段(20)と、 前記処理媒体供給手段(10)から供給された前記処理媒体(70)と前記エッチング媒体供給手段(20)から供給された前記エッチング媒体(80)とを前記チャンバ(40)に交互に供給することにより、前記処理媒体(70)を前記チャンバ(40)に供給する間に前記基板(50)の表面(51)側に埋め込み膜(60)を形成し、前記エッチング媒体(80)を供給する間に前記溝(53)の開口部側に形成された前記埋め込み膜(60)をエッチングするようにする切替手段(30)とを備えていることを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L21/76 L ,  H01L21/31 A ,  H01L21/316 B
Fターム (14件)：
5F032AA35 ,  5F032AA39 ,  5F032AA69 ,  5F032AA70 ,  5F032DA01 ,  5F032DA24 ,  5F032DA28 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC14 ,  5F045EE19 ,  5F058BC02 ,  5F058BF43 ,  5F058BJ06
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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