成膜方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304536
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120713
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】超臨界状態の媒体を用いた、微細パターンへの成膜方法において、従来に比べて微細パターンへのカバレッジと埋め込み特性を良好とし、さらに微細なパターンへの成膜を可能とする。【解決手段】被処理基板上に、超臨界状態の媒体にプリカーサを溶解した処理媒体を供給して成膜を行う成膜方法であって、前記被処理基板の温度を、成膜が生じる温度の下限である成膜下限温度未満である第1の温度とし、当該被処理基板上に前記処理媒体を供給する第1の工程と、前記被処理基板の温度を前記第1の温度から前記成膜下限温度以上である第2の温度に上昇させることで、当該被処理基板上に成膜を行う第2の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板上に、超臨界状態の媒体にプリカーサを溶解した処理媒体を供給して成膜を行う成膜方法であって、前記被処理基板の温度を、成膜が生じる温度の下限である成膜下限温度未満である第1の温度とし、当該被処理基板上に前記処理媒体を供給する第1の工程と、前記被処理基板の温度を前記第1の温度から前記成膜下限温度以上である第2の温度に上昇させることで、当該被処理基板上に成膜を行う第2の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L21/28 301R , H01L21/285 Z , H01L21/90 A

Fターム (39件)：

4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD31 , 4M104HH14 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP00 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR29 , 5F033WW03 , 5F033XX03

引用特許：

審査官引用 (8件)

パターン基板およびパターンなし基板上に金属および金属合金被膜を形成するための化学流体被着
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-535628 出願人：ユニバーシティーオブマサチューセッツ
成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-015140 出願人：株式会社ユーテック, セイコーエプソン株式会社
基板処理方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-017948 出願人：東京エレクトロン株式会社, 近藤英一

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