パターン形成方法および反転パターン形成用材料

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-327487
公開番号（公開出願番号）：特開2010-151923
出願日： 2008年12月24日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】埋め込み性が良好で、有機材料に対して高いエッチング選択比を有し、微細な反転パターンを良好な形状で形成できる反転パターン形成用材料、および該反転パターン形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程(i)と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜を形成する工程(ii)と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程(iii)と、を備えるパターン形成方法であって、前記反転パターン形成用材料が、下記式(x0-1)で表される構成単位を有し、シリコン含有量が15質量%超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とする。 [化1]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程(i)と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜を形成する工程(ii)と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程(iii)と、を備えるパターン形成方法であって、前記反転パターン形成用材料は、下記式(x0-1)で表される構成単位を有し、シリコン含有量が15質量%超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 , H01L 21/027 , C08G 77/12

FI (3件)：

G03F7/40 511 , H01L21/30 570 , C08G77/12

Fターム (23件)：

2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 2H096HA05 , 4J246AA03 , 4J246AB05 , 4J246AB11 , 4J246BA11X , 4J246BA110 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246CA01X , 4J246CA010 , 4J246CA40X , 4J246CA400 , 4J246CA56X , 4J246CA560 , 4J246CA67X , 4J246CA670 , 4J246CA85X , 4J246CA850 , 4J246HA15 , 5F046PA19

引用特許：

出願人引用 (7件)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201310 出願人：東京応化工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-065460 出願人：富士通株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-294981 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (4件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-022685 出願人：信越化学工業株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-267848 出願人：東京応化工業株式会社
パターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-134493 出願人：JSR株式会社

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