特許
J-GLOBAL ID：201003001265148398

薄膜トランジスタ、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
荒井 俊明

荒井 俊明 について

, 
諸沢 成浩

諸沢 成浩 について

, 
徳永 和彦

徳永 和彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-308271
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135462
出願日： 2008年12月03日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】酸化物半導体薄膜層を含む薄膜トランジスタにおいて、簡易な構成により信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】下層側の第1のチャネル保護層24Aと、上層側の第2のチャネル保護層24Bとからなるチャネル保護層24を設ける。チャネル保護層24およびソース・ドレイン電極25の形成時に、酸化物半導体薄膜層23からの酸素の脱離が抑えられ、リーク電流が低減する。また、このようなチャネル保護層24が、従来のパッシベーション膜としての機能も有するようにする。これにより、従来よりも簡易な構成および製造工程となる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上において、前記ゲート電極に対応してチャネル領域を形成する酸化物半導体薄膜層と、 前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体薄膜層上において少なくとも前記チャネル領域に対応する領域に形成され、下層側の第1のチャネル保護層と、上層側の第2のチャネル保護層とを含んで構成されたチャネル保護層と、 前記チャネル保護層上に形成され、前記酸化物半導体薄膜層と電気的に接続されたソース・ドレイン電極と を備え、 前記第1のチャネル保護層が、酸化物絶縁体により構成されると共に、前記第1および第2のチャネル保護層のうちの少なくとも一方が、低酸素透過性材料により構成されている 薄膜トランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B
Fターム (31件)：
5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL26 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-304089   出願人：凸版印刷株式会社
審査官引用 (5件)
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