特許
J-GLOBAL ID：201003002379016536

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
谷本 智

谷本 智 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-172599
公開番号（公開出願番号）：特開2010-278463
出願日： 2010年07月30日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
【課題】長期絶縁破壊耐性を改善することが可能で、高信頼の炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素からなる基板1を不活性ガス雰囲気中で酸化温度まで昇温する段階、酸化温度において基板1上に酸化ガスを導入して基板1の表面を熱酸化する段階、酸化温度において基板1上を不活性ガス雰囲気として熱酸化を停止する段階により、ゲート酸化膜9を成長する工程と、ゲート酸化膜9上に多結晶シリコン膜を成膜し、多結晶シリコン膜を選択的に除去してゲート電極7を形成する工程と、ゲート電極7の少なくとも側面を酸化して、多結晶シリコン熱酸化膜8を形成する工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる基板を不活性ガス雰囲気中で酸化温度まで昇温する段階、前記酸化温度において前記基板上に酸化ガスを導入して前記基板の表面を熱酸化する段階、前記酸化温度において前記基板上を不活性ガス雰囲気として前記熱酸化を停止する段階により、ゲート酸化膜を成長する工程と、 前記ゲート酸化膜上に多結晶シリコン膜を成膜し、前記多結晶シリコン膜を選択的に除去してゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極の少なくとも側面を酸化して、多結晶シリコン熱酸化膜を形成する工程 とを備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/283
FI (8件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/58 G ,  H01L21/316 S ,  H01L21/283 B
Fターム (31件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104FF09 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BE03 ,  5F058BE05 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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