特許

J-GLOBAL ID：201003003656385460

半導体装置およびその製造方法

発明者： 鎌田 善己 ,  高島 章
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-235514
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067929
出願日： 2008年09月12日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：

【課題】 本発明は、良好な移動度を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。非金属Ge化合物層は、例えばSrとGeの化合物、BaとGeの化合物もしくはBaとSiとGeの化合物を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、 前記半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、 前記非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された電極と、 前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M

Fターム (36件)：

5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BD18 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF20 ,  5F058BF29 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA05 ,  5F140AC01 ,  5F140AC39 ,  5F140BA00 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA20 ,  5F140BB05 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE15 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-431028   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-094285   出願人：株式会社東芝
• 方法および半導体構造(非酸素カルコゲン不活性化ステップを用いて製作されたGe系半導体構造)
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-290473   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-020942   出願人：株式会社東芝