特許
J-GLOBAL ID：200903020759879330

半導体装置およびその製造方法

発明者：
高 島 章

高 島 章 について

, 
西 川 幸 江

西 川 幸 江 について

, 
清 水 達 雄

清 水 達 雄 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-094285
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273531
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】高誘電体膜と半導体基板の界面に形成されやすい界面反応層の形成を抑制しつつ、界面準位を低減することを可能にする。【解決手段】単結晶半導体基板1と、単結晶半導体基板に吸着した金属元素を含み、単結晶半導体基板表面の原子配列と整合した単一の周期構造を有する吸着層2と、吸着層上に形成された誘電体膜3と、誘電体膜上に形成された電極4とを備え、吸着層を構成する金属元素の酸化物、単結晶半導体基板の元素の酸化物、および誘電体膜を構成する金属元素の酸化物の単位酸素当たりの標準生成エンタルピーをそれぞれ、ΔHa、ΔHs、ΔHdとしたとき、ΔHa≧ΔHdかつΔHs≧ΔHdの関係を満足する金属元素で吸着層および誘電体膜が形成されている【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板と、 前記単結晶半導体基板に吸着した金属元素を含み、前記単結晶半導体基板表面の原子配列と整合した単一の周期構造を有する吸着層と、 前記吸着層上に形成された誘電体膜と、 前記誘電体膜上に形成された電極と を備え、 前記吸着層を構成する金属元素の酸化物、前記単結晶半導体基板の元素の酸化物、および前記誘電体膜を構成する金属元素の酸化物の単位酸素当たりの標準生成エンタルピーをそれぞれ、ΔHa、ΔHs、ΔHdとしたとき、ΔHa≧ΔHdかつΔHs≧ΔHdの関係を満足する金属元素で前記吸着層および前記誘電体膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  C23C 14/02
FI (4件)：
H01L29/78 301H ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/316 B ,  C23C14/02 B
Fターム (25件)：
4K029AA06 ,  4K029BA41 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029FA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BE10 ,  5F058BF13 ,  5F058BF20 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA05 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BB16 ,  5F140BC05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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