特許

J-GLOBAL ID：200903004018193850

半導体装置、キャパシタ、および電界効果トランジスタ

発明者： 清 水 達 雄 ,  小 山 正 人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-084190
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239080
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】半導体と金属との界面において、接合する金属の実効仕事関数を最適化した半導体装置を提供することを可能にする。【解決手段】半導体膜4aと、半導体膜上に形成された酸化膜6bと、酸化膜上に形成された金属膜12aとを備え、酸化膜がHf酸化膜或いはZr酸化膜であって、酸化膜に、V、Cr、Mn、Nb、Mo、Tc、W、Reから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されている。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

半導体膜と、 前記半導体膜上に形成された酸化膜と、 前記酸化膜上に形成された金属膜と を備え、 前記酸化膜がHf酸化膜或いはZr酸化膜であって、前記酸化膜に、V、Cr、Mn、Nb、Mo、Tc、W、Reから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (13件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/417

FI (15件)：

H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301B ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 321E ,  H01L21/283 C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U

Fターム (141件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB06 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE20 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB18 ,  5F048BC05 ,  5F048BC15 ,  5F048BF01 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048DA23 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP56 ,  5F083EP62 ,  5F083EP67 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F101BA01 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BA42 ,  5F101BB02 ,  5F101BD03 ,  5F101BD30 ,  5F110AA03 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK26 ,  5F110HK39 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA06 ,  5F140AA10 ,  5F140AA33 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140AC01 ,  5F140AC14 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA07 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BG01 ,  5F140BG08 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ21 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK15 ,  5F140BK32

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-282057   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (6件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082614   出願人：三菱電機株式会社
• 絶縁膜、および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-018482   出願人：株式会社東芝
• 高誘電率誘電体膜、MOS型電界効果トランジスタ、及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-417636   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-178539   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-333117   出願人：株式会社東芝
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-282057   出願人：株式会社東芝