特許
J-GLOBAL ID:201003006956986430

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタアレイ、及びアクティブマトリクス駆動表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 仲野 均
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-243549
公開番号(公開出願番号):特開2010-080467
出願日: 2008年09月24日
公開日(公表日): 2010年04月08日
要約:
【課題】ソース電極と半導体の界面及びドレイン電極と半導体界面に対してキャリアの注入効率及び抽出効率の向上を両立し、動作周波数が大きく且つ低消費電力な有機トランジスタとその製造方法、及びこれを用いた画素バラツキの小さい表示装置を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタ1は、半導体層10が接する界面のうち、ゲート絶縁膜4との界面には第1の有機分子薄膜7を、ソース電極5との界面には第2の有機分子薄膜8を、ドレイン電極6との界面には第3の有機分子薄膜9をと、各々異なる材料の有機分子薄膜を有する構造をしている。第1の有機分子薄膜7にOTSを用いている。第2の有機分子薄膜8にフッ素化ヘキサデカンチオールを用いている。第3の有機分子薄膜9にヘキサデカンチオールを用いている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び半導体層が設けられ、 前記半導体層が接する界面のうち、 前記ゲート絶縁膜との界面には、第1の有機分子薄膜が、 前記ソース電極との界面には、第2の有機分子薄膜が、 前記ドレイン電極との界面には、第3の有機分子薄膜が設けられ、 前記第1の有機分子薄膜、第2の有機分子薄膜及び第3の有機分子薄膜が、各々異なる材料から成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件):
H01L 29/786 ,  H01L 51/05
FI (6件):
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U
Fターム (20件):
5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32
引用特許:
出願人引用 (4件)
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