特許
J-GLOBAL ID：201003008358469091
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-048811
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205866
出願日： 2009年03月03日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】N型の超低抵抗率(2mΩ・cm以下)のシリコン単結晶基板を用いた、ミスフィット転位の発生を抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法とシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】少なくとも、チョクラルスキー法によって育成したシリコン単結晶棒を加工してシリコン単結晶基板を作製し、該シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン薄膜を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記チョクラルスキー法で前記シリコン単結晶棒を育成する際に、該シリコン単結晶棒に抵抗率が2mΩ・cm以下となるように燐をドープし、かつ前記シリコン薄膜の気相成長前に、前記シリコン単結晶基板に対して前記燐の拡散長が0.24μm以上となるように時間と温度を調整した熱処理を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、チョクラルスキー法によって育成したシリコン単結晶棒を加工してシリコン単結晶基板を作製し、該シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン薄膜を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記チョクラルスキー法で前記シリコン単結晶棒を育成する際に、該シリコン単結晶棒に抵抗率が2mΩ・cm以下となるように燐をドープし、
かつ前記シリコン薄膜の気相成長前に、前記シリコン単結晶基板に対して前記燐の拡散長が0.24μm以上となるように時間と温度を調整した熱処理を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, C30B 29/06
, C23C 16/24
H01L21/20
, H01L21/205
, C30B29/06 A
, C30B29/06 502H
, C23C16/24
4G077AA02
, 4G077AB06
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077FE05
, 4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 5F045AA01
, 5F045AB02
, 5F045AC05
, 5F045AC18
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AF03
, 5F045AF16
, 5F045BB12
, 5F045CA05
, 5F152LL03
, 5F152LN03
, 5F152LN21
, 5F152MM18
, 5F152NN03
, 5F152NQ03
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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