特許

J-GLOBAL ID：201003008756619923

半導体配線

発明者： 大西 隆 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  小濱 和之 ,  伊藤 和博 ,  着本 享 ,  村上 正紀
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (4件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-183014
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021490
出願日： 2008年07月14日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：

【課題】絶縁膜とCu配線の界面に、TiO2層とは異なるバリア層をCu配線の電気抵抗率を高めることなく形成した半導体配線を提供する。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Tiを含有するCu配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Cu配線の間に、TiC層を形成すればよい。前記絶縁膜は、SiCOまたはSiCNとすればよい。前記TiC層の厚みは、3〜30nmとすればよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Tiを含有するCu配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Cu配線の間に、TiC層が形成されていることを特徴とする半導体配線。

IPC (2件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (1件)：

H01L21/88 M

Fターム (18件)：

5F033HH11 ,  5F033HH36 ,  5F033LL02 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP20 ,  5F033PP21 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR01 ,  5F033SS11 ,  5F033WW02 ,  5F033XX10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体配線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-077443   出願人：株式会社神戸製鋼所, 国立大学法人京都大学
• 半導体配線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-192153   出願人：株式会社神戸製鋼所, 国立大学法人京都大学

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-222194   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-165361   出願人：松下電器産業株式会社