半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-256868
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073863
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【要約書】【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション(EM)耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。【解決手段】 Mn0.05〜5wt%を含有し、Sb,Zr,Ti,Cr,Ag,Au,Cd,In,Asから選択した1又は2以上の元素の総量が10wtppm以下、残部Cuであることを特徴とする自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。

請求項（抜粋）：

Mn0.05〜5wt%を含有し、Sb,Zr,Ti,Cr,Ag,Au,Cd,In,Asから選択した1又は2以上の元素の総量が10wtppm以下、残部Cuであることを特徴とする自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。

IPC (8件)：

H01L 21/285 , C22C 9/05 , C22F 1/02 , C22F 1/08 , C23C 14/34 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (7件)：

H01L21/285 S , C22C9/05 , C22F1/02 , C22F1/08 B , C23C14/34 A , H01L21/28 301R , H01L21/88 M

Fターム (27件)：

4K029AA06 , 4K029BA08 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08 , 4M104BB04 , 4M104BB39 , 4M104DD40 , 4M104HH01 , 4M104HH05 , 5F033HH12 , 5F033LL02 , 5F033MM11 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ85 , 5F033RR03 , 5F033SS27 , 5F033TT00 , 5F033WW04 , 5F033XX05 , 5F033XX18 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (9件)

高純度銅または銅合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-044192 出願人：株式会社ジャパンエナジー
特許第2862727号公報
スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-198565 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-365425 出願人：株式会社リコー
銅合金導電プラグ形成方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081500 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-154003 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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