半導体装置、およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：平田忠雄 , 角田賢二 , 中村恵子 , 遠藤和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-273948
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091830
出願日： 2006年10月05日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】高い信頼性と低い電気抵抗を有する配線構造を備えた半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたシリサイド層と、前記シリサイド層上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内に形成され、前記シリサイド層に前記コンタクト膜を介して電気的に接続された金属層と、前記金属層と前記層間絶縁膜との間に形成された拡散バリア膜と、を備え、前記コンタクト膜は、前記金属層に含まれる金属元素と、前記拡散バリア膜に含まれる金属元素と、前記シリサイド層に含まれる金属元素またはSiと、を少なくとも1つずつ含むことを特徴とする半導体装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたシリサイド層と、前記シリサイド層上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内に形成され、前記シリサイド層にコンタクト膜を介して電気的に接続された金属層と、前記金属層と前記層間絶縁膜との間に形成された拡散バリア膜と、を備え、前記コンタクト膜は、前記金属層に含まれる金属元素と、前記拡散バリア膜に含まれる金属元素と、前記シリサイド層に含まれる金属元素またはSiと、を少なくとも1つずつ含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (3件)：

H01L21/90 C , H01L21/28 301S , H01L21/88 Q

Fターム (44件)：

4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB36 , 4M104DD07 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH19 , 5F033JJ08 , 5F033JJ10 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ31 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033NN03 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ69 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-148318 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-061139 出願人：株式会社東芝
半導体装置の接続構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-001864 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-027756 出願人：株式会社半導体理工学研究センター

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