特許

J-GLOBAL ID：201003012507057980

表示装置及びその作製方法

発明者： 荒井 康行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-282655
公開番号（公開出願番号）：特開2010-170110
出願日： 2009年12月14日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素を作製する際に、生産性の向上を図る。【解決手段】基板上に形成されたゲート電極として機能する第1の配線と、前記第1の配線上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に、低抵抗酸化物半導体層及び前記低抵抗酸化物半導体層上に導電層が積層して設けられた第2の配線、並びに前記低抵抗酸化物半導体層及び前記低抵抗酸化物半導体層の画素電極として機能する領域が露出するように前記導電層が積層して設けられた電極層と、前記ゲート絶縁膜上の前記第2の配線と前記電極層との間に形成された高抵抗酸化物半導体層と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート電極として機能する第1の配線と、 前記第1の配線上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に、低抵抗酸化物半導体層及び前記低抵抗酸化物半導体層上に導電層が積層して設けられた第2の配線、並びに前記低抵抗酸化物半導体層及び前記低抵抗酸化物半導体層の画素電極として機能する領域が露出するように前記導電層が積層して設けられた電極層と、 前記ゲート絶縁膜上の前記第2の配線と前記電極層との間に形成された高抵抗酸化物半導体層と、 を有する表示装置。

IPC (4件)：

G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (7件)：

G09F9/30 338 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/88 A ,  H01L21/88 S

Fターム (92件)：

5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094FA04 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5F033GG01 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX34 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG22 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HM03 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-050004   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社
• 発光装置及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325367   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学