オゾンガス利用表面処理方法とその装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江正二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-165914
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010283
出願日： 2008年06月25日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】オゾンガスと紫外線とを併用する酸化による表面処理方法において、酸化効率を向上させることのできる手段を提供する。【解決手段】キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

オゾンガスを使用して表面処理を行う表面処理方法であって、希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させるとともに、該混合ガスに紫外光を照射作用させることを特徴とするオゾンガス利用表面処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/306 , H01L 21/302 , H01L 21/304

FI (6件)：

H01L21/31 A , H01L21/316 A , H01L21/302 104H , H01L21/302 201A , H01L21/304 645D , H01L21/304 645A

Fターム (47件)：

5F004AA16 , 5F004BA19 , 5F004BB03 , 5F004BB05 , 5F004BB26 , 5F004BC07 , 5F004BD01 , 5F004BD07 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA27 , 5F004DB26 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045EE08 , 5F045EK07 , 5F045EM10 , 5F045GB07 , 5F058BA06 , 5F058BC02 , 5F058BF54 , 5F058BF61 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F157AA63 , 5F157AA64 , 5F157AA93 , 5F157AB02 , 5F157AB13 , 5F157AB33 , 5F157AB90 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BG03 , 5F157BG04 , 5F157BG12 , 5F157BG43 , 5F157BG73 , 5F157BH18 , 5F157CE28 , 5F157CE59 , 5F157CF34 , 5F157CF40 , 5F157CF90 , 5F157CF92 , 5F157DB01

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-083803 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-304069 出願人：富士通株式会社
特開平4-246161

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