特許

J-GLOBAL ID：201003013781748014

有機薄膜トランジスタ

発明者： 関谷 隆司 ,  中村 浩昭
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-159273
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003747
出願日： 2008年06月18日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】低閾値電圧、高電界効果移動度及び高オン/オフ電流比を有するボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁体層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を含むボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタであって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、酸化物層及び金属層が積層してなる積層構造を有し、前記金属層が有機薄膜層で表面修飾されてなる有機薄膜トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともゲート電極、絶縁体層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を含むボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタであって、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、酸化物層及び金属層が積層してなる積層構造を有し、 前記金属層が有機薄膜層で表面修飾されてなる有機薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (8件)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370

Fターム (56件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA08 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-142353   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-321870   出願人：株式会社日立製作所
• 有機トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-352961   出願人：松下電器産業株式会社
• 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-231809   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

審査官引用 (1件)

• 有機簿膜トランジスタの製造方法及びこれによって製造された有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163101   出願人：三星電子株式会社